Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Transistoren

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BUL45D2G

BUL45D2G

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220. Konfiguration: ...
BUL45D2G
RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BUL45D2G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 400V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 5A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 13 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 75W. Komponentenfamilie: Hochspannungs-NPN-Transistor. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
BUL45D2G
RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BUL45D2G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 400V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 5A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 13 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 75W. Komponentenfamilie: Hochspannungs-NPN-Transistor. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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BUL45GD2G

BUL45GD2G

Kosten): 50pF. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 13 MHz. Funktion: Bipolarer NPN-Leistungstransistor...
BUL45GD2G
Kosten): 50pF. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 13 MHz. Funktion: Bipolarer NPN-Leistungstransistor mit hoher Geschwindigkeit und hoher Verstärkung. Maximaler hFE-Gewinn: 34. Minimaler hFE-Gewinn: 22. Kollektorstrom: 5A. Ic(Impuls): 10A. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO220AB CASE 221A-09. Transistortyp: NPN. VCBO: 700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.28V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Vebo: 12V. Menge pro Karton: 1. Spec info: Built-in Efficient Antisaturation Network. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja
BUL45GD2G
Kosten): 50pF. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 13 MHz. Funktion: Bipolarer NPN-Leistungstransistor mit hoher Geschwindigkeit und hoher Verstärkung. Maximaler hFE-Gewinn: 34. Minimaler hFE-Gewinn: 22. Kollektorstrom: 5A. Ic(Impuls): 10A. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO220AB CASE 221A-09. Transistortyp: NPN. VCBO: 700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.28V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Vebo: 12V. Menge pro Karton: 1. Spec info: Built-in Efficient Antisaturation Network. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja
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BUL54A

BUL54A

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: SMPS S-L. Kollektorstrom: 4A. Pd (Verlustleistung, max): 65W...
BUL54A
Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: SMPS S-L. Kollektorstrom: 4A. Pd (Verlustleistung, max): 65W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 500V. Menge pro Karton: 1. Spec info: High-Speed. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
BUL54A
Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: SMPS S-L. Kollektorstrom: 4A. Pd (Verlustleistung, max): 65W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 500V. Menge pro Karton: 1. Spec info: High-Speed. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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BUL6802

BUL6802

Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Kollektors...
BUL6802
Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Kollektorstrom: 1.2A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 25W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 1us. Tf(min): 1us. Gehäuse: TO-126F. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126F. Transistortyp: NPN. VCBO: 600V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Vebo: 9V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1
BUL6802
Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Kollektorstrom: 1.2A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 25W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 1us. Tf(min): 1us. Gehäuse: TO-126F. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126F. Transistortyp: NPN. VCBO: 600V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Vebo: 9V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1
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BUP313

BUP313

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-218. Konfigurat...
BUP313
RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-218. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BUP313. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 1.2 kV. Kollektorstrom Ic [A]: 32A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 100 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 530 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6.5V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 200W. Maximaler Kollektorstrom (A): 64A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
BUP313
RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-218. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BUP313. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 1.2 kV. Kollektorstrom Ic [A]: 32A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 100 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 530 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6.5V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 200W. Maximaler Kollektorstrom (A): 64A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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BUR50

BUR50

Transistortyp: NPN Leistungstransistor. Polarität: NPN. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 200V. Koll...
BUR50
Transistortyp: NPN Leistungstransistor. Polarität: NPN. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 200V. Kollektorstrom: 70A. Leistung: 350W. Gehäuse: TO-3
BUR50
Transistortyp: NPN Leistungstransistor. Polarität: NPN. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 200V. Kollektorstrom: 70A. Leistung: 350W. Gehäuse: TO-3
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BUT11A

BUT11A

Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: Schnelles Hochspannungsschalten. Maximaler hFE-Gewi...
BUT11A
Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: Schnelles Hochspannungsschalten. Maximaler hFE-Gewinn: 35. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Kollektorstrom: 5A. Ic(Impuls): 10A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 83W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 4us. Tf(min): 0.8us. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Vebo: 9V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
BUT11A
Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: Schnelles Hochspannungsschalten. Maximaler hFE-Gewinn: 35. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Kollektorstrom: 5A. Ic(Impuls): 10A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 83W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 4us. Tf(min): 0.8us. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Vebo: 9V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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BUT11AF

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: S-L. Kollektorstrom: 5A. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Mon...
BUT11AF
Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: S-L. Kollektorstrom: 5A. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1
BUT11AF
Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: S-L. Kollektorstrom: 5A. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1
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BUT11AF-F

BUT11AF-F

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: S-L. Kollektorstrom: 5A. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Mon...
BUT11AF-F
Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: S-L. Kollektorstrom: 5A. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1
BUT11AF-F
Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: S-L. Kollektorstrom: 5A. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1
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BUT11APX

BUT11APX

Halbleitermaterial: Silizium. Maximaler hFE-Gewinn: 35. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Kollektorstrom: 5A...
BUT11APX
Halbleitermaterial: Silizium. Maximaler hFE-Gewinn: 35. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Kollektorstrom: 5A. Ic(Impuls): 10A. Pd (Verlustleistung, max): 32W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Leistungstransistor. Tf(max): 160 ns. Tf(min): 145 ns. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F ( SOT186A ). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 1000V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
BUT11APX
Halbleitermaterial: Silizium. Maximaler hFE-Gewinn: 35. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Kollektorstrom: 5A. Ic(Impuls): 10A. Pd (Verlustleistung, max): 32W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Leistungstransistor. Tf(max): 160 ns. Tf(min): 145 ns. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F ( SOT186A ). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 1000V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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BUT11AX-PHI

BUT11AX-PHI

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: S-L. Kollektorstrom: 5A. Pd (Verlustleistung, max): 32W. Mon...
BUT11AX-PHI
Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: S-L. Kollektorstrom: 5A. Pd (Verlustleistung, max): 32W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Menge pro Karton: 1. Spec info: Tf 170ns
BUT11AX-PHI
Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: S-L. Kollektorstrom: 5A. Pd (Verlustleistung, max): 32W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Menge pro Karton: 1. Spec info: Tf 170ns
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BUT12AF

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Kollektorstrom: 10A. Pd (Verlustleist...
BUT12AF
Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Kollektorstrom: 10A. Pd (Verlustleistung, max): 23W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
BUT12AF
Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Kollektorstrom: 10A. Pd (Verlustleistung, max): 23W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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BUT18A-PHI

BUT18A-PHI

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Kollektorstrom: 6A. Pd (Verlustleistung, max): 110W. Monta...
BUT18A-PHI
Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Kollektorstrom: 6A. Pd (Verlustleistung, max): 110W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Menge pro Karton: 1
BUT18A-PHI
Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Kollektorstrom: 6A. Pd (Verlustleistung, max): 110W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Menge pro Karton: 1
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Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 35. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Kollek...
BUT18AF
Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 35. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Kollektorstrom: 6A. Ic(Impuls): 12A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 33W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.8us. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Vebo: 9V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Hochspannung, hohe Geschwindigkeit
BUT18AF
Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 35. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Kollektorstrom: 6A. Ic(Impuls): 12A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 33W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.8us. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Vebo: 9V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Hochspannung, hohe Geschwindigkeit
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BUT18AF-PHI

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Funktion: S-L. Kollektorstrom: 6A. Pd (Verlustleistung, ma...
BUT18AF-PHI
Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Funktion: S-L. Kollektorstrom: 6A. Pd (Verlustleistung, max): 33W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Menge pro Karton: 1
BUT18AF-PHI
Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Funktion: S-L. Kollektorstrom: 6A. Pd (Verlustleistung, max): 33W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Menge pro Karton: 1
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BUT56A

BUT56A

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Funktion: S-L. Kollektorstrom: 8A. Pd (Verlustleistung, ma...
BUT56A
Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Funktion: S-L. Kollektorstrom: 8A. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Menge pro Karton: 1
BUT56A
Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Funktion: S-L. Kollektorstrom: 8A. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Menge pro Karton: 1
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BUT93D

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 9 MHz. Funktion: S-L, SN. Kollektorstrom: 4A. Pd (Verlustleistung,...
BUT93D
Halbleitermaterial: Silizium. FT: 9 MHz. Funktion: S-L, SN. Kollektorstrom: 4A. Pd (Verlustleistung, max): 55W. Transistortyp: NPN. VCBO: 600V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 350V. Menge pro Karton: 1. CE-Diode: ja
BUT93D
Halbleitermaterial: Silizium. FT: 9 MHz. Funktion: S-L, SN. Kollektorstrom: 4A. Pd (Verlustleistung, max): 55W. Transistortyp: NPN. VCBO: 600V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 350V. Menge pro Karton: 1. CE-Diode: ja
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BUV20

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzah...
BUV20
RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BUV20. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 125V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 8 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 250W. Komponentenfamilie: Hochspannungs-NPN-Transistor. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C
BUV20
RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BUV20. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 125V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 8 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 250W. Komponentenfamilie: Hochspannungs-NPN-Transistor. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C
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BUV26

BUV26

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Entwickelt für Hochgeschwindigkeitsanwendungen. Kollektorst...
BUV26
Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Entwickelt für Hochgeschwindigkeitsanwendungen. Kollektorstrom: 20A. Ic(Impuls): 30A. Pd (Verlustleistung, max): 85W. RoHS: ja. Tf(max): 150 ns. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220 CASE 221A. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+175°C. VCBO: 180V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.6V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 190V. Vebo: 7V. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
BUV26
Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Entwickelt für Hochgeschwindigkeitsanwendungen. Kollektorstrom: 20A. Ic(Impuls): 30A. Pd (Verlustleistung, max): 85W. RoHS: ja. Tf(max): 150 ns. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220 CASE 221A. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+175°C. VCBO: 180V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.6V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 190V. Vebo: 7V. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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BUV27

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schnelle Schaltgeschwindigkeit. Kollektorstrom: 12A. Ic(Impu...
BUV27
Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schnelle Schaltgeschwindigkeit. Kollektorstrom: 12A. Ic(Impuls): 20A. Pd (Verlustleistung, max): 70W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 250 ns. Tf(min): 120ns. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 240V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Vebo: 7V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: VCE(sat) 0.7V...1.5V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
BUV27
Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schnelle Schaltgeschwindigkeit. Kollektorstrom: 12A. Ic(Impuls): 20A. Pd (Verlustleistung, max): 70W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 250 ns. Tf(min): 120ns. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 240V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Vebo: 7V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: VCE(sat) 0.7V...1.5V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: S-L. Kollektorstrom: 15A. Pd (Verlustleistung, max): 85W. Tr...
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Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: S-L. Kollektorstrom: 15A. Pd (Verlustleistung, max): 85W. Transistortyp: NPN. VCBO: 300V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Menge pro Karton: 1
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Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: S-L. Kollektorstrom: 15A. Pd (Verlustleistung, max): 85W. Transistortyp: NPN. VCBO: 300V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Menge pro Karton: 1
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RoHS: ja. Gehäuse: TO-247. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BUV48A. Kollektor-Emit...
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RoHS: ja. Gehäuse: TO-247. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BUV48A. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 450V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 15A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 8:1. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.8us. Tf(min): 0.4us. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 1000V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Vebo: 7V. Transistortyp: Leistungstransistor. Polarität: NPN. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 1000V. Kollektorstrom: 15A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Spec info: ICP--55Ap (tp< 20us)
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RoHS: ja. Gehäuse: TO-247. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BUV48A. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 450V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 15A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 8:1. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.8us. Tf(min): 0.4us. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 1000V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Vebo: 7V. Transistortyp: Leistungstransistor. Polarität: NPN. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 1000V. Kollektorstrom: 15A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Spec info: ICP--55Ap (tp< 20us)
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Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: S-L. Kollektorstrom: 5A. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Tr...
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Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: S-L. Kollektorstrom: 5A. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Transistortyp: NPN. VCBO: 850V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Menge pro Karton: 1. CE-Diode: ja
BUW11
Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: S-L. Kollektorstrom: 5A. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Transistortyp: NPN. VCBO: 850V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Menge pro Karton: 1. CE-Diode: ja
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Halbleitermaterial: Silizium. Maximaler hFE-Gewinn: 35. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Kollektorstrom: 5A...
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Halbleitermaterial: Silizium. Maximaler hFE-Gewinn: 35. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Kollektorstrom: 5A. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.8us. Gehäuse: TO-3PN. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Vebo: 9V. Menge pro Karton: 1. Funktion: Hochspannung, schnell schaltend. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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Halbleitermaterial: Silizium. Maximaler hFE-Gewinn: 35. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Kollektorstrom: 5A. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.8us. Gehäuse: TO-3PN. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Vebo: 9V. Menge pro Karton: 1. Funktion: Hochspannung, schnell schaltend. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 5A. Pd (Verlustleistung, max): 32W. Transistortyp: NPN...
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Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 5A. Pd (Verlustleistung, max): 32W. Transistortyp: NPN. VCBO: 850V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Menge pro Karton: 1
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Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 5A. Pd (Verlustleistung, max): 32W. Transistortyp: NPN. VCBO: 850V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Menge pro Karton: 1
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