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NPN-Transistor, 5A, TO-220FP, TO-220F ( SOT186A ), 450V - BUT11APX

NPN-Transistor, 5A, TO-220FP, TO-220F ( SOT186A ), 450V - BUT11APX
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NPN-Transistor, 5A, TO-220FP, TO-220F ( SOT186A ), 450V - BUT11APX. NPN-Transistor, 5A, TO-220FP, TO-220F ( SOT186A ), 450V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F ( SOT186A ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Maximaler hFE-Gewinn: 35. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Ic(Impuls): 10A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 32W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Leistungstransistor. Tf(max): 160 ns. Tf(min): 145 ns. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 1000V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Originalprodukt vom Hersteller Philips Semiconductors. Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 01:25.

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NPN-Transistor, 5A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: S-L. Pd (Verlustleistung, max): 32W. Spec info: Tf 170ns. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V
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