Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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BUW11

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BUW11. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: S-L. Kollektorstrom: 5A. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Transistortyp: NPN. VCBO: 850V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Menge pro Karton: 1. CE-Diode: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 18/01/2025, 00:25.

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Halbleitermaterial: Silizium. Maximaler hFE-Gewinn: 35. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Kollektorstrom: 5A. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.8us. Gehäuse: TO-3PN. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Vebo: 9V. Menge pro Karton: 1. Funktion: Hochspannung, schnell schaltend. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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Halbleitermaterial: Silizium. Maximaler hFE-Gewinn: 35. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Kollektorstrom: 5A. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.8us. Gehäuse: TO-3PN. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Vebo: 9V. Menge pro Karton: 1. Funktion: Hochspannung, schnell schaltend. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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