BUT18AF-PHI
| Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 3.70€ | 4.40€ |
| 5 - 9 | 3.51€ | 4.18€ |
| 10 - 24 | 3.33€ | 3.96€ |
| 25 - 49 | 3.14€ | 3.74€ |
| 50 - 99 | 3.07€ | 3.65€ |
| 100 - 249 | 3.00€ | 3.57€ |
| 250+ | 2.88€ | 3.43€ |
| Menge | U.P | |
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| 1 - 4 | 3.70€ | 4.40€ |
| 5 - 9 | 3.51€ | 4.18€ |
| 10 - 24 | 3.33€ | 3.96€ |
| 25 - 49 | 3.14€ | 3.74€ |
| 50 - 99 | 3.07€ | 3.65€ |
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BUT18AF-PHI. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Funktion: S-L. Kollektorstrom: 6A. Pd (Verlustleistung, max): 33W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Menge pro Karton: 1. Bestandsmenge aktualisiert am 18/01/2025, 00:25.
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Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 35. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Kollektorstrom: 6A. Ic(Impuls): 12A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 33W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.8us. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Vebo: 9V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Hochspannung, hohe Geschwindigkeit
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