Transistoren

Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: V-MOS. ID (T=25°C): 3.2A. IDSS (max): 3.2A. Pd (Verlustleistung, max): 78W. Spannung Vds(max): 800V. Menge pro Karton: 1

Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.5A. IDSS (max): 4.5A. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.6 Ohms. Technologie: V-MOS. Spannung Vds(max): 600V. Menge pro Karton: 1

C(in): 734pF. Kosten): 300pF. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: AUDIO-LEISTUNGSVERSTÄRKER MOSFET. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 10mA. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 60 ns. Td(on): 120ns. Technologie: P-Kanal-MOSFET-Leistungstransistor. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 14V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 1.5V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 0.15V. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BUZ901. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: NINCS

Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4A. IDSS (max): 4A. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Einschaltwiderstand Rds On: 2 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 600V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1

Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4A. IDSS (max): 4A. Pd (Verlustleistung, max): 35W. Einschaltwiderstand Rds On: 2 Ohms. Technologie: TO-220F. Spannung Vds(max): 600V. Menge pro Karton: 1

Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 8A. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.9 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: V-MOS. Gehäuse: TO-220. Spannung Vds(max): 600V. Menge pro Karton: 1

Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 0.1uA. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.9 Ohms. Technologie: V-MOS. Gehäuse: TO-220. Spannung Vds(max): 600V

Transistortyp: Leistungstransistor. Polarität: NPN. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 400V. Kollektorstrom: 8A. Leistung: 80W. Max Frequenz: 4MHz. Gehäuse: TO-220AB (MJE13007)

Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Logikpegel-Verbesserungsmodus. Id(imp): 156A. ID (T=25°C): 52A. IDSS (max): 52A. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.011 Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: Field Effect Power MOSFET. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Spannung Vds(max): 30 v

C(in): 40pF. Kosten): 14pF. Kanaltyp: N. Funktion: Dualer IGBT-Transistor (isoliert). Kollektorstrom: 200A. Ic(Impuls): 400A. Ic(T=100°C): 200A. Abmessungen: 108x62x31mm. Pd (Verlustleistung, max): 1500W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 300 ns. Td(on): 250 ns. Gehäuse: Andere. Gehäuse (laut Datenblatt): Andere. Betriebstemperatur: -40...+125°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 6V. Anzahl der Terminals: 7. Spec info: Hochleistungsschaltung. CE-Diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 15 MHz. Kollektorstrom: 4A. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: PNP. VCBO: 70V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) CSD1133

C(in): 260pF. Kosten): 140pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 57A. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 1uA. Anzahl der Terminals: 6. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 17W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.024...0.042 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 4.2 ns. Td(on): 2.8 ns. Technologie: N-Channel NexFET™ Power MOSFET. Gehäuse: WSON6. Gehäuse (laut Datenblatt): 2 mm × 2 mm Kunststoffgehäuse. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1.8V. Vgs(th) min.: 0.9V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

Kosten): 130pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Kollektorstrom: 10A. Ic(Impuls): 20A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D44H11. Äquivalente: Fairchild D44H11TU, KSE44H11TU. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaktischer Siliziumtransistor“. Tf(max): 140 ns. Tf(min): 140 ns. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) D45H11. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: D44H11G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 10A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 50 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 70W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: D44H8. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 10A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 50 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 50W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: D44H8G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 10A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 50 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 70W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: S-L, Low-sat. Maximaler hFE-Gewinn: 35. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Kollektorstrom: 15A. Ic(Impuls): 20A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 83W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 90 ns. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Vebo: 7V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) D45VH10. CE-Diode: ja

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 40 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 60. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Kollektorstrom: 10A. Ic(Impuls): 20A. Äquivalente: Fairchild--D45H11TU, KSE45H11TU, ON Semi. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 100 ns. Tf(min): 100 ns. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 80V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: Paar D44H11. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: D45H11G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 10A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 40 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 70W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Minimaler hFE-Gewinn: 70. Kollektorstrom: 10A. Ic(Impuls): 20A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 60W. RoHS: NINCS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Transistortyp: PNP. VCBO: 30 v. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Vebo: 5V

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: D45H8G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 10A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 40 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 70W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor

Transistortyp: Leistungstransistor. Polarität: PNP. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -80V. Kollektorstrom: -15A. Leistung: 83W. Max Frequenz: 50 MHz. Gehäuse: TO–220AB

RoHS: ja. Gerätefamilie: Tool. Werkzeugtyp: Sortiment mit 24 Werkzeugen

C(in): 37pF. Kanaltyp: N. Kollektorstrom: 600A. Ic(Impuls): 1200A. Ic(T=100°C): 600A. Abmessungen: 172x89x37mm. Pd (Verlustleistung, max): 3350W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 0.7 ns. Td(on): 0.21 ns. Gehäuse: Andere. Gehäuse (laut Datenblatt): Andere. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.7V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5.8V. Anzahl der Terminals: 10. Spec info: ICRM--Tp=1mS 1200A. Funktion: VCE(sat) 1.7V (Ic=600A, VGE=15V, 25°C). CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: C3025LS. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6A/-4.2A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms/0.05 Ohms @ 6/-4.2A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 1.2V/-2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 11.2 ns/7.5 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 14.5/28.2 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 590/631pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.5W. Komponentenfamilie: MOSFET, 2 x N-MOS, 2 x P-MOS. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C