NPN-Transistor, 12A, TO-220, TO-220AB, 120V - BUV27

NPN-Transistor, 12A, TO-220, TO-220AB, 120V - BUV27. NPN-Transistor, 12A, TO-220, TO-220AB, 120V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schnelle Schaltgeschwindigkeit. Ic(Impuls): 20A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 70W. RoHS: ja. Spec info: VCE(sat) 0.7V...1.5V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 250 ns. Tf(min): 120ns. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 240V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Vebo: 7V. Originalprodukt vom Hersteller ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 00:25.