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BUT56A

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BUT56A. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Funktion: S-L. Kollektorstrom: 8A. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Menge pro Karton: 1. Bestandsmenge aktualisiert am 18/01/2025, 00:25.