NPN-Transistor, 8A, TO-220, TO-220AB, 100V, 100V - BDX53C

NPN-Transistor, 8A, TO-220, TO-220AB, 100V, 100V - BDX53C. NPN-Transistor, 8A, TO-220, TO-220AB, 100V, 100V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 100V. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: +150°C. Minimaler hFE-Gewinn: 750. Ic(Impuls): 12A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 60W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Komplementäre Leistungs-Darlington-Transistoren. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Transistortyp: Darlington-Leistungstransistor. Polarität: NPN. Typ: Darlington-Transistor. Leistung: 60W. Max Frequenz: 20MHz. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Komplementärtransistor (Paar) BDX54C. Funktion: Audioverstärker. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 00:25.