NPN-Transistor, TO-220, 10A, TO-220AB, 100V - BDX33C

NPN-Transistor, TO-220, 10A, TO-220AB, 100V - BDX33C. NPN-Transistor, TO-220, 10A, TO-220AB, 100V. Gehäuse: TO-220. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. RoHS: ja. Widerstand B: 10k Ohms. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: 150 Ohms. C(in): TO-220. Kosten): TO-220. CE-Diode: ja. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 2. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Funktion: 10k Ohms (R1), 150 Ohms (R2). Maximaler hFE-Gewinn: 750. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 15A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDX34C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Vebo: 2.5V. Originalprodukt vom Hersteller Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 11:25.