NPN-Transistor, TO-220, 10A, TO-220AB, 100V, 100V - BDX33C

NPN-Transistor, TO-220, 10A, TO-220AB, 100V, 100V - BDX33C. NPN-Transistor, TO-220, 10A, TO-220AB, 100V, 100V. Gehäuse: TO-220. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 100V. Funktion: 10k Ohms (R1), 150 Ohms (R2). Maximaler hFE-Gewinn: 750. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 15A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 70W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDX34C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Vebo: 2.5V. Transistortyp: Darlington-Leistungstransistor. Polarität: NPN. Typ: Darlington-Transistor. Eingebaute Diode: ja. Leistung: 70W. Max Frequenz: 20MHz. DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.: 750. Originalprodukt vom Hersteller Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 24/07/2025, 02:25.