Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

BDX66C

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BDX66C. Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 7 MHz. Kollektorstrom: 16A. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Funktion: hFE 1000. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDX67C. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 17:25.

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BDX66C-SML

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BDX66C-SML
Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 7 MHz. Kollektorstrom: 16A. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Funktion: hFE 1000. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDX67C
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