NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 12A, 12A, TO-220, TO-220AB, 100V - BDW93C

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 12A, 12A, TO-220, TO-220AB, 100V - BDW93C. NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 12A, 12A, TO-220, TO-220AB, 100V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Kollektorstrom Ic [A], max.: 12A. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Leistungstransistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BDW93C. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 80W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Grenzfrequenz ft [MHz]: 20 MHz. Ic(Impuls): 15A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Originalprodukt vom Hersteller Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 23:25.