NPN-Transistor, 12A, TO-220, 12A, TO-220AB, 100V, 100V - BDW93C

NPN-Transistor, 12A, TO-220, 12A, TO-220AB, 100V, 100V - BDW93C. NPN-Transistor, 12A, TO-220, 12A, TO-220AB, 100V, 100V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: TO-220. Kollektorstrom Ic [A], max.: 12A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 100V. Herstellerkennzeichnung: BDW93C. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 20 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 80W. Ic(Impuls): 15A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 80W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Transistortyp: Darlington-Leistungstransistor. Polarität: NPN. Typ: Darlington-Transistor. Leistung: 80W. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 00:25.