Transistoren

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 120 MHz. Kollektorstrom: 5A. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-89. Gehäuse (laut Datenblatt): SANYO--PCP. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Funktion: Hochstromschaltung, niedrige Sättigungsspannung. Spec info: Siebdruck/SMD-Code DK, hFE 120...200

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 120 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler hFE-Gewinn: 180. Kollektorstrom: 5A. Id(imp): 8A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: DK. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-89. Gehäuse (laut Datenblatt): SANYO--PCP. Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 20V. Funktion: Hochstromschaltung, niedrige Sättigungsspannung. Spec info: Siebdruck/SMD-Code DK

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 3.5A. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Kollektorstrom: 5A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Kollektorstrom: 6A. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V

Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 1000. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Funktion: Bipolartransistor. Maximaler hFE-Gewinn: 270. Minimaler hFE-Gewinn: 120. Kollektorstrom: 1A. Ic(Impuls): 2A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: DAQ. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: „Epitaktischer planarer Typ“. Gehäuse: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-89. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: +55...+150°C. VCBO: 40V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.15V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 32V. Vebo: 5V. Spec info: Siebdruck/SMD-Code DAQ

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Funktion: Schaltkreise. Maximaler hFE-Gewinn: 280. Minimaler hFE-Gewinn: 70. Kollektorstrom: 7A. Id(imp): 12A. Hinweis: Komplementärtransistor (Paar) 2SB1135. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220ML. Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Vebo: 6V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Funktion: Schaltkreise. Maximaler hFE-Gewinn: 280. Minimaler hFE-Gewinn: 70. Kollektorstrom: 12A. Id(imp): 15A. Hinweis: Komplementärtransistor (Paar) 2SB1136. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220ML. Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Vebo: 6V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 5A. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: NF-E-L. Kollektorstrom: 2A. Pd (Verlustleistung, max): 10W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Spec info: D-PAK (ROHM--CPT3)

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 70 MHz. Kollektorstrom: 3A. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220FP. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 80 MHz. Funktion: NF/E (F). Kollektorstrom: 1.5A. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SB1186A

Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: isolierter Pakettransistor. Kollektorstrom: 2A. Hinweis: >1000. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. CE-Diode: ja

Kosten): 25pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Funktion: Hochstromschaltung. Maximaler hFE-Gewinn: 560. Minimaler hFE-Gewinn: 35. Kollektorstrom: 3A. Ic(Impuls): 6A. Pd (Verlustleistung, max): 15W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SMD. Gehäuse (laut Datenblatt): D-PAK TO-252. Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Vebo: 6V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SB1202. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 180 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 35. Kollektorstrom: 8A. Ic(Impuls): 12A. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: „Epitaktische planare Siliziumtransistoren“. Tf(max): 20 ns. Tf(min): 20 ns. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Vebo: 6V. Funktion: Hochstromschaltung, niedrige Sättigungsspannung. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SB1204

Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 5000. Minimaler hFE-Gewinn: 2000. Kollektorstrom: 4A. Ic(Impuls): 6A. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220ML. Transistortyp: NPN. VCBO: 70V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.9V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Spec info: „Epitaxialer planarer Silizium-Darlington-Transistor“

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 5A. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: Farbfernseher mit horizontaler Ablenkung, Ausgangsverstärker.. Maximaler hFE-Gewinn: 10. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Kollektorstrom: 5A. Ic(Impuls): 20A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.1us. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PML. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Vebo: 6V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: Niederfrequenz-Leistungsverstärker. Kollektorstrom: 3A. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SB1274

Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: isolierter Pakettransistor. Minimaler hFE-Gewinn: 3000. Kollektorstrom: 4A. Hinweis: =3000. Pd (Verlustleistung, max): 30W. RoHS: ja. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SB1342

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: M31/C. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 1500V/650V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 6A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 50W. Herstellerkennzeichnung: Silizium. Grenzfrequenz ft [MHz]: 50W. Betriebstemperaturbereich min (°C): 1500V. Betriebstemperaturbereich max (°C): 650V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 10A. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1400V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 650V. Funktion: S-L TV/HA(F)

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Funktion: Io-sat DC/DC. Maximaler hFE-Gewinn: 350. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Kollektorstrom: 0.5A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.6W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 25V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Kollektorstrom: 2.5A. Pd (Verlustleistung, max): 10W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1500V

Kosten): 35pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kollektorstrom: 3A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D2012. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silicon NPN Triple Diffused Type. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): 2-10R1A. Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Vebo: 7V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SB1366. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS