2SD1804

2SD1804. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 180 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 35. Kollektorstrom: 8A. Ic(Impuls): 12A. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: „Epitaktische planare Siliziumtransistoren“. Tf(max): 20 ns. Tf(min): 20 ns. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Vebo: 6V. Funktion: Hochstromschaltung, niedrige Sättigungsspannung. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SB1204. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 06:25.