Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 9 | 0.45€ | 0.54€ |
10 - 24 | 0.43€ | 0.51€ |
25 - 49 | 0.41€ | 0.49€ |
50 - 99 | 0.38€ | 0.45€ |
100 - 249 | 0.38€ | 0.45€ |
250 - 499 | 0.37€ | 0.44€ |
500 - 850 | 0.35€ | 0.42€ |
Menge | U.P | |
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1 - 9 | 0.45€ | 0.54€ |
10 - 24 | 0.43€ | 0.51€ |
25 - 49 | 0.41€ | 0.49€ |
50 - 99 | 0.38€ | 0.45€ |
100 - 249 | 0.38€ | 0.45€ |
250 - 499 | 0.37€ | 0.44€ |
500 - 850 | 0.35€ | 0.42€ |
2SD1664Q. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 1000. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Funktion: Bipolartransistor. Maximaler hFE-Gewinn: 270. Minimaler hFE-Gewinn: 120. Kollektorstrom: 1A. Ic(Impuls): 2A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: DAQ. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: „Epitaktischer planarer Typ“. Gehäuse: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-89. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: +55...+150°C. VCBO: 40V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.15V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 32V. Vebo: 5V. Spec info: Siebdruck/SMD-Code DAQ. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 06:25.
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