Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
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1 - 4 | 0.78€ | 0.93€ |
5 - 9 | 0.74€ | 0.88€ |
10 - 15 | 0.70€ | 0.83€ |
Menge | U.P | |
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1 - 4 | 0.78€ | 0.93€ |
5 - 9 | 0.74€ | 0.88€ |
10 - 15 | 0.70€ | 0.83€ |
2SD1802. Kosten): 25pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Funktion: Hochstromschaltung. Maximaler hFE-Gewinn: 560. Minimaler hFE-Gewinn: 35. Kollektorstrom: 3A. Ic(Impuls): 6A. Pd (Verlustleistung, max): 15W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SMD. Gehäuse (laut Datenblatt): D-PAK TO-252. Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Vebo: 6V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SB1202. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 06:25.
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