Transistoren

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V/25V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V/25V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30V/25V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 20mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 0.5A. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V/35V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: A21/B. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 15V/10V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 30mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.12W

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 1000V/500V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 22W

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 220 MHz. Kollektorstrom: 0.2A. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Kollektorstrom: 0.05A. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 250 MHz. Funktion: lo-sat . Kollektorstrom: 0.7A. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 20V

Kosten): 120pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 15 MHz. Funktion: Audio-Leistungsverstärker, DC-DC-Wandler. Maximaler hFE-Gewinn: 200. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Kollektorstrom: 8A. Ic(Impuls): 16A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 80W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Transistortyp: NPN. VCBO: 160V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 140V. Vebo: 6V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SB817. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 280. Minimaler hFE-Gewinn: 70. Kollektorstrom: 12A. Ic(Impuls): 15A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D1062. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 1.2us. Tf(min): 0.4us. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Vebo: 6V. Funktion: Hochgeschwindigkeitswechselrichter, Konverter, Low-Sat. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SB826

Kosten): 200pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 1 MHz. Kollektorstrom: 10A. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 100W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Transistortyp: NPN. VCBO: 130V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 110V. Vebo: 10V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Maximaler hFE-Gewinn: 230. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Kollektorstrom: 4A. RoHS: NINCS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. VCBO: 70V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V

Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Kollektorstrom: 1A. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Spec info: Ersatz

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 0.1A. Pd (Verlustleistung, max): 0.4W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Spec info: Ersatz

Kosten): 12pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Kollektorstrom: 2A. Ic(Impuls): 4A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaxialer planarer Silizium-Darlington-Transistor“. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.15V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Vebo: 6V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SB892. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2SD1279. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 10A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 3 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 50W. Komponentenfamilie: Hochspannungs-NPN-Transistor. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: M37/J. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 120V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 7A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 70W

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 60 MHz. Kollektorstrom: 8A. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Funktion: 2.32k Ohms. Kollektorstrom: 0.5A. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 25V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Funktion: Io-sat. Kollektorstrom: 0.5A. Pd (Verlustleistung, max): 0.6W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 25V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Kollektorstrom: 5A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V

Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Minimaler hFE-Gewinn: 8:1. Kollektorstrom: 5A. Ic(Impuls): 16A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Dreifach diffuser Planar“. Tf(max): 0.7us. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Vebo: 7V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Kollektorstrom: 5A. Pd (Verlustleistung, max): 120W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Spec info: fr--IC=1A; VCE=10V, 3MHz