Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NPN-Transistor, 3A, TO-220FP, 2-10R1A, 60V - 2SD2012

NPN-Transistor, 3A, TO-220FP, 2-10R1A, 60V - 2SD2012
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NPN-Transistor, 3A, TO-220FP, 2-10R1A, 60V - 2SD2012. NPN-Transistor, 3A, TO-220FP, 2-10R1A, 60V. Kollektorstrom: 3A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): 2-10R1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Kosten): 35pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D2012. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silicon NPN Triple Diffused Type. Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 7V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SB1366. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 16:25.

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KSD2012GTU

KSD2012GTU

NPN-Transistor, 3A, TO-220FP, TO-220, 60V. Kollektorstrom: 3A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Da...
KSD2012GTU
NPN-Transistor, 3A, TO-220FP, TO-220, 60V. Kollektorstrom: 3A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Kosten): 35pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler hFE-Gewinn: 150. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D2012-G. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silicon NPN Triple Diffused Type. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55°C bis +150°C. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 7V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) KSB1366. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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NPN-Transistor, 3A, TO-220FP, TO-220, 60V. Kollektorstrom: 3A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Kosten): 35pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler hFE-Gewinn: 150. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D2012-G. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silicon NPN Triple Diffused Type. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55°C bis +150°C. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 7V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) KSB1366. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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