2SD1669

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Set mit 1

2SD1669. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Funktion: Schaltkreise. Maximaler hFE-Gewinn: 280. Minimaler hFE-Gewinn: 70. Kollektorstrom: 12A. Id(imp): 15A. Hinweis: Komplementärtransistor (Paar) 2SB1136. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220ML. Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Vebo: 6V. Bestandsmenge aktualisiert am 10/01/2025, 18:25.

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