Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

2SD110

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2SD110. Kosten): 200pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 1 MHz. Kollektorstrom: 10A. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 100W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Transistortyp: NPN. VCBO: 130V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 110V. Vebo: 10V. Bestandsmenge aktualisiert am 14/01/2025, 23:25.

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