2SD1207

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1 - 4	0.81€	0.96€
5 - 9	0.77€	0.92€
10 - 23	0.73€	0.87€

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Set mit 1

2SD1207. Kosten): 12pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Kollektorstrom: 2A. Ic(Impuls): 4A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaxialer planarer Silizium-Darlington-Transistor“. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.15V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Vebo: 6V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SB892. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.

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