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Halbleiter Transistoren

2SD1062

2SD1062

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2SD1062. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 280. Minimaler hFE-Gewinn: 70. Kollektorstrom: 12A. Ic(Impuls): 15A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D1062. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 1.2us. Tf(min): 0.4us. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Vebo: 6V. Funktion: Hochgeschwindigkeitswechselrichter, Konverter, Low-Sat. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SB826. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.

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