Transistoren

Kosten): 200pF. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: HI-FI. Maximaler hFE-Gewinn: 160. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Kollektorstrom: 15A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5242. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 130W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): 2-16C1A. Transistortyp: NPN. VCBO: 230V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 230V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1962. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 12:1. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Kollektorstrom: 15A. Ic(Impuls): 30A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple-Diffusion-Mesa-Typ“. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.12us. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TOP-3L. Transistortyp: NPN. VCBO: 1700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1700V. Vebo: 6V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Display-HA. Kollektorstrom: 12A. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Spec info: MONITOR. CE-Diode: ja

BE-Widerstand: 43 Ohms. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Maximaler hFE-Gewinn: 25. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Kollektorstrom: 8A. Ic(Impuls): 16A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 60W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf (Typ): 0.1 ns. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PML. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Vebo: 6V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja

Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Maximaler hFE-Gewinn: 30. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Kollektorstrom: 8A. Ic(Impuls): 16A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 60W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PML. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zur hochauflösenden horizontalen Ablenkung. Maximaler hFE-Gewinn: 30. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Kollektorstrom: 10A. Ic(Impuls): 25A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 70W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PML. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Spec info: Display-HA MONITOR. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 20A. Pd (Verlustleistung, max): 120W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Spec info: 8.729.033.99. CE-Diode: ja

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: Ultrahigh-Definition CRT Display. Maximaler hFE-Gewinn: 30. Minimaler hFE-Gewinn: 4. Kollektorstrom: 15A. Ic(Impuls): 35A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5302. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Silicon Transistor“. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PML. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Vebo: 6V. Spec info: hohe Geschwindigkeit (tf=100ns typ.). Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D35/B. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30V/20V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 20mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.1W

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Kollektorstrom: 15A. Pd (Verlustleistung, max): 180W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264 ( 2-21F1A ). Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 230V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1987. CE-Diode: ja

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Funktion: Allzweck. Kollektorstrom: 150mA. Ic(Impuls): 400mA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.2W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92S. Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Vebo: 6V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA608. CE-Diode: ja

Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 1.7 MHz. Funktion: High Switching, Horizontal Deflection out. Maximaler hFE-Gewinn: 35. Minimaler hFE-Gewinn: 4.3. Kollektorstrom: 8A. Ic(Impuls): 16A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5386. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused MESA Type“. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Vebo: 5V. Spec info: MONITOR Hi-res. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: VCE(sat) 3V max. Kollektorstrom: 10A. Hinweis: „Triple Diffused MESA Type“. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Spec info: MONITOR, Hi-res (F)

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 64kHz. Funktion: Monitor HA,hi-res, fH--64KHz. Kollektorstrom: 14A. Ic(Impuls): 28A. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Spec info: VCE(sat) max. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 190pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 2 MHz. Funktion: HA, Hi-res. Kollektorstrom: 14A. Ic(Impuls): 28A. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf (Typ): 0.15us. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3FP. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Vebo: 5V. Spec info: fH--64KHz. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 64kHz. Funktion: CTV/Monitor Horizntal Deflection Output. Maximaler hFE-Gewinn: 25. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Kollektorstrom: 8A. Ic(Impuls): 16A. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PFM. Transistortyp: NPN. Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1500V. Spec info: Silicon NPN Triple Diffused. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: Horizontale Ablenkungsausgabe. Maximaler hFE-Gewinn: 30. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Kollektorstrom: 12A. Ic(Impuls): 24A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5449. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Transistor“. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.15us. Gehäuse: TO-3PFM ( 13-16A1A ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PFM. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Vebo: 6V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 7GHz. Funktion: VHF/UHF. Maximaler hFE-Gewinn: 200. Minimaler hFE-Gewinn: 90. Kollektorstrom: 70mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: LN. Pd (Verlustleistung, max): 0.1W. Gehäuse (laut Datenblatt): SSFP 1.4x0.8x0.6mm. Transistortyp: NPN. VCBO: 20V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 10V. Spec info: Siebdruck/SMD-Code LN

Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 12:1. Minimaler hFE-Gewinn: 6. Kollektorstrom: 17A. Ic(Impuls): 30A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5583. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TOP-3L. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1500V. Funktion: Samsung Monitor 19 inch. Spec info: „Triple-Diffusion-Mesa-Typ“

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: hi-res, monitor 19. Kollektorstrom: 15A. Hinweis: hFE 22...45 (Vce sat 3V, Vbe sat 1.5V). Transistortyp: NPN. VCBO: 1700V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Spec info: Triple diffusion mesa tipe

Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: High-Speed. Maximaler hFE-Gewinn: 11. Minimaler hFE-Gewinn: 3. Kollektorstrom: 12A. Ic(Impuls): 36A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5696. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 85W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Silicon Transistor“. Tf(max): 0.3us. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PMLH. Transistortyp: NPN. VCBO: 1600V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Vebo: 5V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-Widerstand: ja. CE-Diode: ja

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Maximaler hFE-Gewinn: 7. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Kollektorstrom: 8A. Ic(Impuls): 16A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5698. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 65W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.2us. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PMLH. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Vebo: 5V. Funktion: Hochgeschwindigkeit, CTV-HA. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-251. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 7.5A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 400 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 15W

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 400 MHz. Funktion: DC-DC-Wandler, TFT-Netzteil. Maximaler hFE-Gewinn: 560. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Kollektorstrom: 5A. Ic(Impuls): 7.5A. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 15W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Tf(max): 35 ns. Tf(min): 35 ns. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.135V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Vebo: 6V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA2039

Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 100dB. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 330 MHz. Funktion: DC-DC-Wandler, TFT-Netzteil. Maximaler hFE-Gewinn: 560. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Kollektorstrom: 8A. Ic(Impuls): 11A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5707. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 15W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 25 ns. Tf(min): 25 ns. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251AA ( I-PAK ). Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.11V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA2040. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS