Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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2SD1398. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Kollektorstrom: 5A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Bestandsmenge aktualisiert am 14/01/2025, 23:25.

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Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Minimaler hFE-Gewinn: 8:1. Kollektorstrom: 5A. Ic(Impuls): 16A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Dreifach diffuser Planar“. Tf(max): 0.7us. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Vebo: 7V
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