Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren FET- und MOSFET-Transistoren

P-Kanal-Transistor, 5.3A, 5.3A, SO, SO-8, 30 v - SI9435BDY

P-Kanal-Transistor, 5.3A, 5.3A, SO, SO-8, 30 v - SI9435BDY
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P-Kanal-Transistor, 5.3A, 5.3A, SO, SO-8, 30 v - SI9435BDY. P-Kanal-Transistor, 5.3A, 5.3A, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 5.3A. IDSS (max): 5.3A. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: P-Kanal-MOSFET-Transistor. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.055 Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: V-MOS. Originalprodukt vom Hersteller Vishay. Bestandsmenge aktualisiert am 26/07/2025, 02:25.

Technische Dokumentation

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P-Kanal-Transistor, SO, SO-8, 30 v, 5.3A, 100nA. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. ID (T=25°C): 5.3A. IDSS (max): 100nA. RoHS: ja. Td(on): 7 ns. Technologie: P-Channel PowerTrench MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 1V. C(in): 528pF. Kosten): 132pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 50A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.042 Ohms. Spec info: VGS(th) 1V...3V, ID=250uA. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 14 ns
FDS9435A
P-Kanal-Transistor, SO, SO-8, 30 v, 5.3A, 100nA. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. ID (T=25°C): 5.3A. IDSS (max): 100nA. RoHS: ja. Td(on): 7 ns. Technologie: P-Channel PowerTrench MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 1V. C(in): 528pF. Kosten): 132pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 50A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.042 Ohms. Spec info: VGS(th) 1V...3V, ID=250uA. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 14 ns
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