Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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SI4800BDY-T1-E3

SI4800BDY-T1-E3
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SI4800BDY-T1-E3. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 40Ap. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 6.5A. IDSS (max): 5uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 4800B. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0155 Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 32 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET Reduced Qg. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 1.8V. Vgs(th) min.: 0.8V. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schnell schaltender Leistungs-MOSFET. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 12:25.

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