SI4948BEY-T1-GE3

SI4948BEY-T1-GE3. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Gehäuse (JEDEC-Standard): MS-012. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: SI4948BEY-T1-GE3. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.1A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.12 Ohms @ -3.1A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 15 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 75 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 800pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.4W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 12:25.