SI4532CDY-T1-GE3

SI4532CDY-T1-GE3. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: SI4532CDY-T1-E3. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.2A/-3.4A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms/0.14 Ohms @ 5.2/-3.4A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4.5V/-4.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 11 ns/10 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 25/30 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 305/340pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.14W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 12:25.