NPN-Transistor, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204 ), 120V - MJ11016G

NPN-Transistor, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204 ), 120V - MJ11016G. NPN-Transistor, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204 ), 120V. Kollektorstrom: 30A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3 ( TO-204 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. RoHS: ja. Widerstand B: ja. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): 4pF. Kosten): TO-204AA. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Ic(Impuls): +200°C. Hinweis: hFE 1000 (IC=20Adc, VCE=5Vdc). Hinweis: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+200°C. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ11015. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 00:25.