MJ11016G

Menge	exkl. MwSt	inkl. MwSt
1 - 1	13.09€	15.58€
2 - 2	12.43€	14.79€
3 - 4	11.78€	14.02€
5 - 9	11.12€	13.23€
10 - 14	9.46€	11.26€
15 - 19	9.24€	11.00€
20 - 39	8.89€	10.58€

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2 - 2	12.43€	14.79€
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5 - 9	11.12€	13.23€
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Set mit 1

MJ11016G. RoHS: ja. Widerstand B: ja. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): 4pF. Kosten): TO-204AA. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Kollektorstrom: 30A. Ic(Impuls): +200°C. Hinweis: hFE 1000 (IC=20Adc, VCE=5Vdc). Hinweis: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3 ( TO-204 ). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+200°C. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ11015. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 14:25.

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