Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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MJ15015. BE-Widerstand: 70. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 0.8 MHz. Kollektorstrom: 15A. Pd (Verlustleistung, max): 180W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Transistortyp: NPN. VCBO: 200V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Spec info: Motorola. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 09:25.

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BE-Widerstand: 70. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 0.8 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 70. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Kollektorstrom: 15A. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 180W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 6us. Tf(min): 4us. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 200V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Vebo: 7V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ15016. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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