Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NPN-Transistor, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V, TO3, -120V - MJ11015G

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NPN-Transistor, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V, TO3, -120V - MJ11015G. NPN-Transistor, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V, TO3, -120V. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Gehäuse: TO3. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -120V. RoHS: ja. Hinweis: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ11016. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+200°C. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. Typ: Darlington-Transistor. Polarität: PNP. Leistung: 200W. Collector-Base-Spannung VCBO: -120V. Montageart: Chassis -Berg. Bandbreite MHz: 4MHz. DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.: 200. Strom max 1: -30A. Max.Voltage IGBT VRSM: hFE 1000 (IC=20Adc, VCE=5Vdc). Serie: MJ11015G. MSL: 30A. Originalprodukt vom Hersteller ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 26/07/2025, 03:25.

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