Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 1 | 11.81€ | 14.05€ |
2 - 2 | 11.22€ | 13.35€ |
3 - 4 | 10.63€ | 12.65€ |
5 - 9 | 10.04€ | 11.95€ |
10 - 14 | 9.80€ | 11.66€ |
15 - 19 | 9.57€ | 11.39€ |
20 - 28 | 9.21€ | 10.96€ |
Menge | U.P | |
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1 - 1 | 11.81€ | 14.05€ |
2 - 2 | 11.22€ | 13.35€ |
3 - 4 | 10.63€ | 12.65€ |
5 - 9 | 10.04€ | 11.95€ |
10 - 14 | 9.80€ | 11.66€ |
15 - 19 | 9.57€ | 11.39€ |
20 - 28 | 9.21€ | 10.96€ |
MJ15016-ONS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 0.8 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 70. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Kollektorstrom: 15A. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 180W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 6us. Tf(min): 4us. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 200V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Vebo: 7V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ15015. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 14:25.
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