KTB778

KTB778. Kosten): 280pF. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Funktion: Hochleistungs-Audioverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 160. Minimaler hFE-Gewinn: 55. Kollektorstrom: 10A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B778. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P ( H ) IS. Transistortyp: PNP. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) KTD998. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 16:25.