Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
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1 - 9 | 0.55€ | 0.65€ |
10 - 24 | 0.52€ | 0.62€ |
25 - 37 | 0.50€ | 0.60€ |
Menge | U.P | |
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1 - 9 | 0.55€ | 0.65€ |
10 - 24 | 0.52€ | 0.62€ |
25 - 37 | 0.50€ | 0.60€ |
KTA1663. Kosten): 50pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 120 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kollektorstrom: 1.5A. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: „Epitaxialer planarer PNP-Transistor“. Gehäuse: SOT-89. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-89. Transistortyp: PNP. VCBO: 30 v. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Vebo: 5V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 16:25.
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