Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NPN-Transistor, 12A, ISOWATT218FX, TO-218-FX, 700V - MD2001FX

NPN-Transistor, 12A, ISOWATT218FX, TO-218-FX, 700V - MD2001FX
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NPN-Transistor, 12A, ISOWATT218FX, TO-218-FX, 700V - MD2001FX. NPN-Transistor, 12A, ISOWATT218FX, TO-218-FX, 700V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: ISOWATT218FX. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-218-FX. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 4pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: FAST-SWITCH. Maximaler hFE-Gewinn: 7. Minimaler hFE-Gewinn: 4.5. Ic(Impuls): 18A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 58W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 2.6us. Tf(min): 0.2us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Vebo: 9V. Originalprodukt vom Hersteller Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 20:25.

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NPN-Transistor, 14A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 1500V. Kollektorstrom: 14A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): ISOWATT218FX. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1500V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 1.6pF. CE-Diode: NINCS. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 64kHz. Funktion: FAST-SWITCH fh--64KHz (IC=6A). Produktionsdatum: 2014/17. Maximaler hFE-Gewinn: 8.5. Minimaler hFE-Gewinn: 6. Ic(Impuls): 21A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 62W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Transistortyp: NPN. VCBO: 700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Vebo: 9V
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NPN-Transistor, 12A, TO-3PFM ( 13-16A1A ), TO-3PFM, 700V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: TO-3PFM ( 13-16A1A ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PFM. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: Horizontale Ablenkungsausgabe. Maximaler hFE-Gewinn: 30. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Ic(Impuls): 24A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5449. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Spec info: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Transistor“. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.15us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Vebo: 6V
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