Transistoren

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-1. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30 v. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.125W

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: GE. Kollektorstrom: 0.15A. Hinweis: >30. Pd (Verlustleistung, max): 0.2W. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 25V

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 35V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1.5A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 10W

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 8 MHz. Kollektorstrom: 1.5A. Pd (Verlustleistung, max): 10W. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 35V

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 2A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 20W

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: M17/J. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 90V/80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 800mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 10W

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: M17/J. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V/20V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 2A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 10W

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 20V/15V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.3W

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D17/C. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 25V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.9W

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 350 MHz. Funktion: hFE 120...240. Kollektorstrom: 1A. Pd (Verlustleistung, max): 0.9W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92M ( 9mm ). Transistortyp: PNP. VCBO: 25V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 20V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD468

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 80 MHz. Funktion: Allzweck. Kollektorstrom: 0.1A. Pd (Verlustleistung, max): 0.4W. Gehäuse: SC-71. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D8/C. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30V/25V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.6W

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 140 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 200. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kollektorstrom: 1A. Ic(Impuls): 2A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B647. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.9W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92M ( 9mm ). Transistortyp: PNP. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD667. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 140 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Kollektorstrom: 1A. Ic(Impuls): 2A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.9W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-89. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-89. Transistortyp: PNP. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Vebo: 5V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 27pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 140 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 200. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kollektorstrom: 1.5A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Transistortyp: PNP. VCBO: 180V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD669A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 160. Minimaler hFE-Gewinn: 55. Kollektorstrom: 8A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B668. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Transistortyp: PNP. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD718

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 7 MHz. Kollektorstrom: 7A. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 170V

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V/60V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 7A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 40W

Kosten): 2.7pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 80 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 460. Minimaler hFE-Gewinn: 160. Kollektorstrom: 0.1A. Ic(Impuls): 0.2A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: AQ. RoHS: NINCS. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): MINI MOLD. Transistortyp: PNP. VCBO: 25V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 25V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD601. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D8/C. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 35V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.3W

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D17/C. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V/50V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.9W

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 80 MHz. Kollektorstrom: 3A. Pd (Verlustleistung, max): 10W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD882. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 15 MHz. Kollektorstrom: 12A. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3PN. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD1047. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Widerstand B: 10. BE-Widerstand: 47. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 15 MHz. Kollektorstrom: 4A. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: PNP. VCBO: 70V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD1133

Widerstand B: 10. BE-Widerstand: 47. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: PNP-Transistor. Maximaler hFE-Gewinn: 200. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Kollektorstrom: 2A. Ic(Impuls): 5A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Transistortyp: PNP. VCBO: 200V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD1138. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS