2SB649A

Menge	exkl. MwSt	inkl. MwSt
1 - 4	1.44€	1.71€
5 - 9	1.37€	1.63€
10 - 24	1.29€	1.54€
25 - 49	1.22€	1.45€
50 - 99	1.19€	1.42€
100 - 146	1.02€	1.21€

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Set mit 1

2SB649A. Kosten): 27pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 140 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 200. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kollektorstrom: 1.5A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Transistortyp: PNP. VCBO: 180V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD669A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 16:25.

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