NPN-Transistor, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 160V - 2SB649A

NPN-Transistor, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 160V - 2SB649A. NPN-Transistor, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 160V. Kollektorstrom: 1.5A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 27pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 140 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 200. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD669A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 180V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller Unisonic Technologies Co. Ltd. Bestandsmenge aktualisiert am 06/06/2025, 23:25.