Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

2SB861

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Menge exkl. MwSt inkl. MwSt
1 - 4 0.86€ 1.02€
5 - 9 0.82€ 0.98€
10 - 24 0.78€ 0.93€
25 - 49 0.73€ 0.87€
50 - 99 0.72€ 0.86€
100 - 249 0.70€ 0.83€
250 - 601 0.66€ 0.79€
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Set mit 1

2SB861. Widerstand B: 10. BE-Widerstand: 47. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: PNP-Transistor. Maximaler hFE-Gewinn: 200. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Kollektorstrom: 2A. Ic(Impuls): 5A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Transistortyp: PNP. VCBO: 200V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD1138. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.

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