Transistoren

Kosten): 20pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 390. Minimaler hFE-Gewinn: 180. Kollektorstrom: 1A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BA. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-89. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-89 (SC-62). Transistortyp: PNP. VCBO: 40V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 32V. Vebo: 5V. Spec info: SMD BA0. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 39pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Kollektorstrom: 4A. Ic(Impuls): 6A. Pd (Verlustleistung, max): 10W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-126F. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126ML. Transistortyp: PNP. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.35V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Vebo: 6V. Funktion: NF/SL. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD1683. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 50pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 70 MHz. Funktion: NF-E-L. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Kollektorstrom: 3A. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaktischer planarer Typ“. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): SC-67. Transistortyp: PNP. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Vebo: 5V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 95pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 130 MHz. Funktion: High-Current switching, low-sat. Kollektorstrom: 8A. Id(imp): 12A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf (Typ): 20 ns. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251 ( I-Pak ). Transistortyp: PNP. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD1804. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 320 MHz. Funktion: Strobe-Hochstromschaltung. Kollektorstrom: 5A. Hinweis: hFE 140...280. Pd (Verlustleistung, max): 10W. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 25V. Spec info: TO-251 (I-Pak)

Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Funktion: isolierter Pakettransistor. Kollektorstrom: 3A. Hinweis: =4000. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 110V

Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 390. Minimaler hFE-Gewinn: 82. Kollektorstrom: 1A. Ic(Impuls): 2A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: TU2. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): ATV. Transistortyp: PNP. VCBO: 40V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 32V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: Allzweck. Kollektorstrom: 2A. Hinweis: hFE 180...390. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Spec info: 2SB1240R

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 70 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 390. Minimaler hFE-Gewinn: 82. Kollektorstrom: 3A. Ic(Impuls): 4.5A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B1243 (RN). Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: „Epitaktischer planarer Typ“. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): ATV. Transistortyp: PNP. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Vebo: 5V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: Niederfrequenz-Leistungsverstärker. Kollektorstrom: 3A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD1913

Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 3A. Hinweis: >2000. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V

Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 12 MHz. Funktion: isolierter Pakettransistor. Kollektorstrom: 6A. Hinweis: =10000. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V

Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 12 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 10000. Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Kollektorstrom: 4A. Ic(Impuls): 6A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 30W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Transistortyp: PNP. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Vebo: 7V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD1933

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 9 MHz. Kollektorstrom: 3A. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD1913

Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 2. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Funktion: Optimal für 120 W Hi-Fi-Ausgang. Maximaler hFE-Gewinn: 20000. Minimaler hFE-Gewinn: 3500. Kollektorstrom: 8A. Ic(Impuls): 15A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffusion Planar Type Darlington“. Tf(max): 1.2us. Tf(min): 1.2us. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TOP-3L. Transistortyp: PNP. VCBO: 160V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Vebo: 5V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: NF/L. Maximaler hFE-Gewinn: 5000. Kollektorstrom: 10A. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Transistortyp: PNP. VCBO: 160V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD2390

Darlington-Transistor?: 1. Menge pro Karton: 2. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 55 MHz. Funktion: hFE 5000. Kollektorstrom: 10A. Ic(Impuls): A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN ( MT-100 ). Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 160V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD2390. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 15 MHz. Funktion: NF-L. Kollektorstrom: 3A. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD2394

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: NF/L. Kollektorstrom: 12A. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Transistortyp: PNP. VCBO: 160V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD2401

Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 65 MHz. Funktion: hFE 5000. Kollektorstrom: 8A. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD2438. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: hFE 5000. Kollektorstrom: 10A. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD2439. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 60 MHz. Funktion: NF-L. Kollektorstrom: 6A. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P ( SOT-93 ). Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 110V

Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 60 MHz. Kollektorstrom: 6A. Hinweis: >5000. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 110V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD2495

Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 45 MHz. Kollektorstrom: 15A. Pd (Verlustleistung, max): 130W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Funktion: HI-FI-Audio-Leistungsverstärker und -Regler. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD2560

Kosten): 100pF. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Minimaler hFE-Gewinn: 5000. Kollektorstrom: 6A. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): MT-25 (TO220). Transistortyp: PNP. VCBO: 110V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 110V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD2589. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS