Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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2SB647. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 140 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 200. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kollektorstrom: 1A. Ic(Impuls): 2A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B647. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.9W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92M ( 9mm ). Transistortyp: PNP. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD667. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.

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Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: CTV-NF/VA. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Kollektorstrom: 1A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: A1013. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.9W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaktischer Siliziumtransistor“. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92M ( 9mm ). Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 160V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Vebo: 6V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC2383. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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