Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NPN-Transistor, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 80V - 2SB647

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NPN-Transistor, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 80V - 2SB647. NPN-Transistor, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 80V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92M ( 9mm ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 140 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 200. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 2A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B647. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.9W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD667. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 19/04/2025, 21:25.

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