2SB688

Menge	exkl. MwSt	inkl. MwSt
1 - 4	2.26€	2.69€
5 - 9	2.14€	2.55€
10 - 24	2.03€	2.42€
25 - 41	1.92€	2.28€

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Set mit 1

2SB688. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 160. Minimaler hFE-Gewinn: 55. Kollektorstrom: 8A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B668. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Transistortyp: PNP. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD718. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 02:25.

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