2SB709

2SB709. Kosten): 2.7pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 80 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 460. Minimaler hFE-Gewinn: 160. Kollektorstrom: 0.1A. Ic(Impuls): 0.2A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: AQ. RoHS: NINCS. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): MINI MOLD. Transistortyp: PNP. VCBO: 25V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 25V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD601. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 02:25.