IRLR2905

IRLR2905. C(in): 1700pF. Kosten): 400pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 2000. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 80 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 160A. ID (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 42A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 110W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.027 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 26 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 55V. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Gate-Steuerung durch Logikpegel. Funktion: Extrem niedriger Einschaltwiderstand, schnelles Schalten. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 15:25.