IRFL024N

IRFL024N. C(in): 400pF. Kosten): 145pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 11.2A. ID (T=100°C): 2.3A. ID (T=25°C): 2.8A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Äquivalente: IRFL024NPBF. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 2.1W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.075 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 22.2 ns. Td(on): 8.1 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 55V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.