Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 4 | 1.23€ | 1.46€ |
5 - 9 | 1.17€ | 1.39€ |
10 - 24 | 1.11€ | 1.32€ |
25 - 49 | 1.05€ | 1.25€ |
50 - 99 | 1.02€ | 1.21€ |
100 - 192 | 0.92€ | 1.09€ |
Menge | U.P | |
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1 - 4 | 1.23€ | 1.46€ |
5 - 9 | 1.17€ | 1.39€ |
10 - 24 | 1.11€ | 1.32€ |
25 - 49 | 1.05€ | 1.25€ |
50 - 99 | 1.02€ | 1.21€ |
100 - 192 | 0.92€ | 1.09€ |
IRFU024N. C(in): 370pF. Kosten): 140pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 56 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 68A. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.075 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 19 ns. Td(on): 4.7 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251AA ( I-PAK ). Spannung Vds(max): 55V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Funktion: Extrem niedriger Einschaltwiderstand, schnelles Schalten. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.
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