Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

MBRS330T3G

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MBRS330T3G. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 80A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B33. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). Betriebstemperatur: -65...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.5V. Durchlassspannung Vf (min): 0.5V. VRRM: 30 v. Spec info: Vf 0.50V/3A, (If=3.0A, TJ=25°C). Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 09:25.

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SS34-E3-57T

SS34-E3-57T

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Vorwärtsstrom (...
SS34-E3-57T
Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 100A. MRT (maximal): 20mA. MRT (min): 500uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SS34. Äquivalente: SS34-E3/9AT. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-214AB (SMC) 7.11x6.22mm. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.5V. Durchlassspannung Vf (min): 0.5V. VRRM: 40V. Anzahl der Terminals: 2. Funktion: Schottky-Barriere-Gleichrichterdiode, Oberflächenmontage. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms)
SS34-E3-57T
Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 100A. MRT (maximal): 20mA. MRT (min): 500uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SS34. Äquivalente: SS34-E3/9AT. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-214AB (SMC) 7.11x6.22mm. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.5V. Durchlassspannung Vf (min): 0.5V. VRRM: 40V. Anzahl der Terminals: 2. Funktion: Schottky-Barriere-Gleichrichterdiode, Oberflächenmontage. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms)
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