PNP-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 5A, 45V. Kollektorstrom: 5A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-223, TO-264, 60V, 3A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-264. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 3A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BDP950. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 12A, TO-220, TO-220, 120V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. BE-Diode: ja. CE-Diode: ja. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 2. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 1500. Minimaler hFE-Gewinn: 750. Ic(Impuls): 20A. Hinweis: 3k Ohms (R1), 45 Ohms (R2). Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDT65C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Darlington-Transistor. Tf(max): 2.5us. Tf(min): 0.5us. Transistortyp: PNP. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 2.5V

NPN-Transistor, 15A, 100V. Kollektorstrom: 15A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Spec info: 130.42144. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, TO-247, TO-247, 100V, 10A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Kollektorstrom: 10A. RoHS: ja. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDV65B. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 100V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Ic(Impuls): 20A. Anzahl der Terminals: 3

NPN-Transistor, 12A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 120V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-93. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: hFE 1000. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDV65C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, 12A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 120V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-93. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Ic(Impuls): 15A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDV65C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220, TO-220, 100V, 15A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 15A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington PNP-Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BDW47G. Grenzfrequenz ft [MHz]: 4 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 85W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 100V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-93. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 1 MHz. Funktion: hFE 750 (@3V, 6A). Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDW83C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, PCB-Löten, SOT-93, SOT-93, 120V, 15A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: SOT-93. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOT-93. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 120V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 15A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington PNP-Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BDW84D. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 120V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 1 MHz. Funktion: hFE 750 (@3V, 6A). Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDW83D. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 12A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 12A. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BDW94C. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 80W. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: Darlington PNP-Leistungstransistor. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C

NPN-Transistor, 12A, TO-220FP, TO-220F, 100V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 2. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Funktion: Komplementärtransistor (Paar) BDW93CF. Maximaler hFE-Gewinn: 20000. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 15A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 33W. RoHS: ja. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V

NPN-Transistor, TO-220, 10A, TO-220AB, 100V. Gehäuse: TO-220. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Widerstand B: 10k Ohms. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: 150 Ohms. CE-Diode: ja. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 2. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Funktion: 10k Ohms (R1), 150 Ohms (R2). Maximaler hFE-Gewinn: 750. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 15A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDX33C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220, TO-220, 100V, 10A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 10A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington PNP-Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BDX34CG. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 70W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 8A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 8A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington PNP-Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BDX54C. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 60W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 8A, TO-220, 160V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: R1 typ. CE-Diode: ja. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Funktion: Komplementäre Leistungs-Darlington-Transistoren. Minimaler hFE-Gewinn: 750. Ic(Impuls): 12A. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDX53F. Transistortyp: PNP. VCBO: 160V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Kollektorstrom: 16A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 7 MHz. Funktion: hFE 1000. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDX67C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Kollektorstrom: 16A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 7 MHz. Funktion: hFE 1000. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDX67C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, 4A, 50V. Kollektorstrom: 4A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 36W. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor. Menge pro Karton: 1

NPN-Transistor, 25mA, TO-92, TO-92, 30 v. Kollektorstrom: 25mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 450 MHz. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, 50mA, TO-92, TO-92, 300V. Kollektorstrom: 50mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. CE-Diode: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 80 MHz. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Ic(Impuls): 100mA. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 830mW. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BF420. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Transistor“. Transistortyp: PNP. VCBO: 300V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, TO-92, TO-92, 250V, 0.05A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 250V. Kollektorstrom: 0.05A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.83W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BF422. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Transistor“. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 250V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 60 MHz. Funktion: VIDEO-Verstärker.. Minimaler hFE-Gewinn: 50. Ic(Impuls): 100A

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, TO-226AA, 40V, 25mA, TO-92 ( SOT-54 ), 40V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 25mA. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 ( SOT-54 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BF450. Grenzfrequenz ft [MHz]: 350 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 300mW. Spec info: feedback capacitance--0.45pF. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 40V. Vebo: 4 v