PNP-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, TO-220AB, 120V, 8A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 120V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 8A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington PNP-Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BD652. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 62.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 10A, 45V. Kollektorstrom: 10A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-126, SOT-32, 60V, 4A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-126. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOT-32. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington PNP-Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BD678. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 40W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 4A, TO-126, 60V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrom: 4A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Widerstand B: ja. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): TO-126. Kosten): SOT-32. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Minimaler hFE-Gewinn: 750. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 60V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD677A. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja

NPN-Transistor, 4A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrom: 4A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: ja. Widerstand B: ja. C(in): TO-126. Kosten): SOT-32. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Funktion: hFE 750. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. BE-Widerstand: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD679. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja

NPN-Transistor, 4A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrom: 4A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, 4A, TO-126F, TO-126F, 80V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-126F. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10MHz. Funktion: Power Linear und Switching. Minimaler hFE-Gewinn: 750. Ic(Impuls): 6A. Pd (Verlustleistung, max): 14W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 80V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.8V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD679A. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, TO-126, 100V, 4A, 100V, -100V, -4A. Gehäuse: TO-126. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 4A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -100V. Kollektorstrom: -4A. Grenzfrequenz ft [MHz]: NF-L. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 40W. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Transistortyp: PNP. Transistortyp: Darlington-Leistungstransistor. Polarität: PNP. Typ: Darlington-Transistor. Eingebaute Diode: ja. Leistung: 40W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD681

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-225, TO-225, 100V, 4A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-225. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-225. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington PNP-Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BD682G. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 40W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 4A, 120V. Kollektorstrom: 4A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Funktion: NF-L. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Transistortyp: PNP. Hinweis: >750. Menge pro Karton: 1

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220, TO-220, 80V, 10A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 10A. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BD810G. Grenzfrequenz ft [MHz]: 1.5 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 90W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor

NPN-Transistor, 1A, TO-202, TO-202; SOT128B, 100V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-202. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-202; SOT128B. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 75 MHz. Funktion: NF-L. Pd (Verlustleistung, max): 8W. Transistortyp: PNP. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD829. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 8A, 100V. Kollektorstrom: 8A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 1 MHz. Funktion: NF-L. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Transistortyp: PNP. Hinweis: >750. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD901

NPN-Transistor, 15A, 45V. Kollektorstrom: 15A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF/L. Pd (Verlustleistung, max): 90W. Transistortyp: PNP. Menge pro Karton: 1. CE-Diode: ja

NPN-Transistor, 15A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Widerstand B: ja. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): TO-220AB. Kosten): TO-220AB. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: Power Linear und Switching. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Ic(Impuls): +150°C. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 90W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD911. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 15A, TO-225, 100V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrom: 15A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-225. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF/L. Pd (Verlustleistung, max): 90W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD911

NPN-Transistor, 5A, 45V. Kollektorstrom: 5A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Transistortyp: PNP. Menge pro Karton: 1

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-223, TO-264, 60V, 3A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-264. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 3A. RoHS: ja. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BDP950. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor

NPN-Transistor, 12A, TO-220, TO-220, 120V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 1500. Minimaler hFE-Gewinn: 750. Ic(Impuls): 20A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Darlington-Transistor. Tf(max): 2.5us. Tf(min): 0.5us. Transistortyp: PNP. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 2.5V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. Hinweis: 3k Ohms (R1), 45 Ohms (R2). Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDT65C. BE-Diode: ja. CE-Diode: ja

NPN-Transistor, 15A, 100V. Kollektorstrom: 15A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Transistortyp: PNP. Menge pro Karton: 1. Spec info: 130.42144

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-247, 100V, 10A, TO-247, 100V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 10A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington PNP-Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BDV64BG. Grenzfrequenz ft [MHz]: 1000. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 100V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDV65B

NPN-Transistor, 12A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 120V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-93. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Funktion: hFE 1000. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDV65C

NPN-Transistor, 12A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 120V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-93. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Ic(Impuls): 15A. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDV65C. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220, TO-220, 100V, 15A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 15A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington PNP-Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BDW47G. Grenzfrequenz ft [MHz]: 4 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 85W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 100V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-93. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 1 MHz. Funktion: hFE 750 (@3V, 6A). Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDW83C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP