Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren PNP-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 8A, TO-220, 160V - BDX54F

NPN-Transistor, 8A, TO-220, 160V - BDX54F
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NPN-Transistor, 8A, TO-220, 160V - BDX54F. NPN-Transistor, 8A, TO-220, 160V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: R1 typ. CE-Diode: ja. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Funktion: Komplementäre Leistungs-Darlington-Transistoren. Minimaler hFE-Gewinn: 750. Ic(Impuls): 12A. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDX53F. Transistortyp: PNP. VCBO: 160V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 26/07/2025, 17:25.

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NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 8A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 8A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington PNP-Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BDX54C. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 60W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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