PNP-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, PCB-Löten, SOT-93, SOT-93, 120V, 15A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: SOT-93. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOT-93. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 120V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 15A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington PNP-Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BDW84D. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 120V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 1 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: hFE 750 (@3V, 6A). Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDW83D

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 12A, TO-220, TO-220AB, 100V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 12A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. RoHS: ja. Komponentenfamilie: PNP Darlington Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BDW94C. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 80W. Ic(Impuls): 15A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Grenzfrequenz ft [MHz]: komplementärer Transistor (Paar) BDW93C. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms

NPN-Transistor, 12A, TO-220FP, TO-220F, 100V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 20000. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 15A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 33W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: Komplementärtransistor (Paar) BDW93CF. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms

NPN-Transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 100V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Widerstand B: 10k Ohms. BE-Widerstand: 150 Ohms. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 2. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 750. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 15A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. C(in): ja. Kosten): -100V. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: 10k Ohms (R1), 150 Ohms (R2). Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDX33C. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220, TO-220, 100V, 10A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 10A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington PNP-Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BDX34CG. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 70W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 8A, TO-220, TO-220AB, 50V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Produktionsdatum: 2014/32. Minimaler hFE-Gewinn: 750. Ic(Impuls): 12A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 60W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Komplementäre Leistungs-Darlington-Transistoren. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 100V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Widerstand B: Darlington-Leistungstransistor. BE-Widerstand: Darlington-Transistor. C(in): -100V. Kosten): -8A. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Komplementärtransistor (Paar) BDX53C. Konditionierungseinheit: 50. Funktion: Audioverstärker. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja

NPN-Transistor, 8A, TO-220, 160V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. BE-Widerstand: R1 typ. Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Funktion: Komplementäre Leistungs-Darlington-Transistoren. Minimaler hFE-Gewinn: 750. Ic(Impuls): 12A. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Transistortyp: PNP. VCBO: 160V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDX53F. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja

NPN-Transistor, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Kollektorstrom: 16A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 7 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Funktion: hFE 1000. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDX67C

NPN-Transistor, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Kollektorstrom: 16A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 7 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Funktion: hFE 1000. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDX67C

NPN-Transistor, 4A, 50V. Kollektorstrom: 4A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 36W. Transistortyp: PNP. Menge pro Karton: 1

NPN-Transistor. Menge pro Karton: 1

NPN-Transistor, 25mA, TO-92, TO-92, 30 v. Kollektorstrom: 25mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 450 MHz. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Menge pro Karton: 1

NPN-Transistor, 50mA, TO-92, TO-92, 300V. Kollektorstrom: 50mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 80 MHz. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Ic(Impuls): 100mA. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 830mW. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Transistor“. Transistortyp: PNP. VCBO: 300V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BF420. CE-Diode: ja

NPN-Transistor, 0.05A, TO-92, TO-92, 250V. Kollektorstrom: 0.05A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 250V. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 60 MHz. Funktion: VIDEO-Verstärker.. Minimaler hFE-Gewinn: 50. Ic(Impuls): 100A. Pd (Verlustleistung, max): 0.83W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Transistor“. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 250V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BF422

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, TO-226AA, 40V, 25mA, TO-92 ( SOT-54 ), 40V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 25mA. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 ( SOT-54 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BF450. Grenzfrequenz ft [MHz]: 350 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.3W. Pd (Verlustleistung, max): 300mW. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 40V. Vebo: 4 v. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Spec info: feedback capacitance--0.45pF

NPN-Transistor, 25mA, TO-92, TO-92, 40V. Kollektorstrom: 25mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 350 MHz. Funktion: HF- und ZF-Stufen in Funkempfängern. Maximaler hFE-Gewinn: 90. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 300mW. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Transistortyp: PNP. VCBO: 40V. Vebo: 4 v. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 0.03A, TO-126, 300V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrom: 0.03A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Halbleitermaterial: Silizium. FT: 60 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 2W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BF471

NPN-Transistor, 50mA, 30 v. Kollektorstrom: 50mA. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Halbleitermaterial: Silizium. Transistortyp: PNP. Menge pro Karton: 1

NPN-Transistor, 50mA, 30 v. Kollektorstrom: 50mA. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: VHF/UHF-V. Transistortyp: PNP. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, -250V, -0.5A, TO-92. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -250V. Kollektorstrom: -0.5A. Gehäuse: TO-92. Transistortyp: Leistungstransistor. Polarität: PNP. Leistung: 0.8W

NPN-Transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 350V. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 350V. Kosten): 1.6pF. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 350V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 6V. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 30mA, TO-92, TO-92, 40V. Kollektorstrom: 30mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 550 MHz. Funktion: VHF-V. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 300mW. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 35V. Vebo: 4 v. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1

NPN-Transistor, TO-92, TO-92. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Menge pro Karton: 1

NPN-Transistor, 25mA, TO-92, TO-92, 30 v. Kollektorstrom: 25mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 700 MHz. Funktion: UKW-Oszillator. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 300mW. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 40V. Vebo: 4 v. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1