NPN-Transistor, TO-247, TO-247, 100V, 10A - BDV64BG

NPN-Transistor, TO-247, TO-247, 100V, 10A - BDV64BG. NPN-Transistor, TO-247, TO-247, 100V, 10A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Kollektorstrom: 10A. RoHS: ja. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDV65B. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 100V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Ic(Impuls): 20A. Anzahl der Terminals: 3. Originalprodukt vom Hersteller ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 26/07/2025, 17:25.