PNP-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 80V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Kosten): 25pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150MHz. Funktion: Audio-, Telefon- und Automobilanwendungen. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 2A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BCP 5316. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 100V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BCP56-16. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-223, TO-261, 80V, 1A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-261. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: AH. Grenzfrequenz ft [MHz]: 50 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-223, TO-264, 80V, 1A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-264. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BCP56-10. Grenzfrequenz ft [MHz]: 120 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +155°C. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-223, TO-261, 20V, 2A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-261. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 20V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 2A. RoHS: ja. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BCP69/25. Grenzfrequenz ft [MHz]: 140 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.35W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Transistor

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-223, TO-261, 20V, 2A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-261. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 20V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 2A. RoHS: NINCS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BCP69. Grenzfrequenz ft [MHz]: 140 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.35W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Transistor

NPN-Transistor, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Kollektorstrom: 500mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Widerstand B: 4.7k Ohms. BE-Widerstand: 4.7k Ohms. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Funktion: PNP-Silizium-Digitaltransistor. Minimaler hFE-Gewinn: 50. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: XUs. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.33W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, TO-236, 50V, 500mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: XHs. Grenzfrequenz ft [MHz]: 150 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.33W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Transistor

NPN-Transistor, 100mA, SOT-143, SOT-143, 30 v. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse: SOT-143. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-143. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Menge pro Karton: 1. FT: 250 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 800. Minimaler hFE-Gewinn: 420. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 3Ls. Anzahl der Terminals: 4. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP & PNP. VCBO: 30 v. Funktion: PNP-Silizium-Doppeltransistor. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 3Ls. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 0.1A, 32V. Kollektorstrom: 0.1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 32V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 500. Minimaler hFE-Gewinn: 250. Hinweis: Siebdruck /SMD-Code C2. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C2. Pd (Verlustleistung, max): 300mW. Transistortyp: PNP. VCBO: 32V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 0.1A, 50V. Kollektorstrom: 0.1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Hinweis: >120. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, 45V, 100mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BCW69R. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 500mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: T1. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.225W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Transistor

NPN-Transistor, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 125V. Kollektorstrom: 0.8A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 125V. Kosten): 12pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Funktion: PNP-Transistor, für AF- und Schaltanwendungen. Maximaler hFE-Gewinn: 63. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Ic(Impuls): 1A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: DKs. Pd (Verlustleistung, max): 0.33W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...150°C. VCBO: 125V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.9V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BCX41. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, TO-236, 125V, 800mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 125V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: DKs. Grenzfrequenz ft [MHz]: 150 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.33W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Transistor

NPN-Transistor, 1A, SOT-89, SOT-89, 45V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: SOT-89. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-89. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: NF-TR. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP. Spec info: Siebdruck/SMD-Code AA

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-89, TO-243, 45V, 1A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-89. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-243. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: AD. Grenzfrequenz ft [MHz]: 50 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.35W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Transistor

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-89, TO-243, 60V, 1A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-89. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-243. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: AM. Grenzfrequenz ft [MHz]: 125 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.35W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Transistor

NPN-Transistor, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 80V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-89. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: Audioverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Ic(Impuls): 1.5A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: AH. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: Siebdruck/SMD-Code AH

NPN-Transistor, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 80V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-89. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: Audioverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 160. Minimaler hFE-Gewinn: 63. Ic(Impuls): 1.5A. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code AK. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: AK. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BCX56-16

NPN-Transistor, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 80V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-89. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. RoHS: ja. Widerstand B: ja. BE-Diode: PNP-Transistor. BE-Widerstand: PCB-Lötung (SMD). C(in): SOT-89. Kosten): TO-243. CE-Diode: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: Audioverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 160. Ic(Impuls): 1.5A. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code AL. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: AL. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BCX56-16

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-89, TO-243, 80V, 1A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-89. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-243. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: AL. Grenzfrequenz ft [MHz]: 125 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor

NPN-Transistor, 0.1A, 32V. Kollektorstrom: 0.1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 32V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 180 MHz. Funktion: NF/S. Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, 1.5A, TO-126, 45V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrom: 1.5A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 12.5W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-126, SOT-32, 80V, 1.5A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-126. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOT-32. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1.5A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BD140. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 12.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor. Grenzfrequenz ft [MHz]: 250. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 12.5W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Transistortyp: PNP. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD139

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-126, SOT-32, 80V, 1.5A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-126. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOT-32. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1.5A. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BD140-10. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 12.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor